Od tranzistoru IGBT k SiC MOSFET

PRŮMYSLOVKA

úterý 18.03.2025 |Pícha Vlastimil Ing. |Všechny aktuality

Dne 18. 3. 2025 proběhla ve výuce předmětu ELZ pro třídy E4A a E4B odborná přednáška na téma "Od tranzistoru IGBT k SiC MOSFET".

Dne 18. 3. 2025 proběhla ve výuce předmětu ELZ pro třídy E4A a E4B odborná přednáška na téma "Od tranzistoru IGBT k SiC MOSFET" V rámci spolupráce s firmou ON Semi Rožnov p. R. přednášel ing. Ondřej Pícha, vedoucí aplikačních inženýrů divize výkonové průmyslové elektroniky.
 
Ing. Vlastimil Pícha